ToF-qSIMS Workstation

Phân tích bề mặt và tạo hồ sơ độ sâu của một loạt các vật liệu bao gồm polyme, dược phẩm, siêu dẫn, bán dẫn, hợp kim, lớp phủ quang học và chức năng, chất điện môi, với khả năng đo lường các thành phần trace xuống mức sub-ppm

  • Model: ToF-qSIMS
  • Manufacturer: Hiden Analytical

Tính năng:

  • Kích thước nhỏ gọn
  • Bố cục thân thiện, dễ sử dụng
  • Cấu hình độ sâu
  • Chỉ cần nguồn điện một pha (dưới 10A)
  • Kết quả dương tính với SIMS và SNMS
  • Thiết kế xe di động
  • Đặc trưng và hình ảnh 3D
  • Phổ khối
  • Phân tích đồng vị

Ứng dụng:

  • Phân tích cụ thể lớp đơn phân tử trên cùng của nhiễm silicon
  • Stent phẫu thuật: hình ảnh, cấu hình độ sâu và phân tích bề mặt cụ thể để đặc trưng cho bề mặt gần
  • Nhiễm bẩn: hình ảnh và phổ khối để xác định vị trí và nhận dạng chất gây ô nhiễm bề mặt
  • Vật liệu hạt nhân: xác định các vật liệu giàu đồng vị bằng phổ khối thành phần khối lượng
  • Dược phẩm: xác định tín hiệu phân tử bằng SIMS tĩnh trên bột

 

Danh mục:

Máy phân tích TOF mới của Hiden, máy phân tích thời gian bay, nâng cao khả năng SIMS, mang đến cho người dùng lợi ích kép: độ linh hoạt cao từ SIMS quadrupole hiệu suất mạnh mẽ cùng khả năng thu thập dữ liệu song song và phân tích mảnh phân tử tiên tiến từ TOF-SIMS.

Khả năng TOF-qSIMS cho phép hình ảnh đa phổ để phân tích vật liệu chi tiết theo từng vùng. Hệ thống TOF-qSIMS cung cấp đầy đủ các tính năng của TOF-SIMS tĩnh và phân tích độ sâu dải động cao từ SIMS quadrupole.

Được tích hợp và tối ưu hoàn toàn cho phân tích SIMS hiệu suất cao, hệ thống TOF-qSIMS Workstation bao gồm:

  • Buồng chân không cao UHV đa cổng
  • Máy phân tích TOF-SIMS
  • Máy phân tích quadrupole SIMS MAXIM của Hiden
  • Súng ion chính khí IG20
  • Súng ion kim loại Cs
  • Giá đỡ mẫu được thiết kế để chứa nhiều loại mẫu rộng rãi nhất

Chế độ SNMS độ nhạy cao được tích hợp để phân tích định lượng các màng kim loại mỏng, oxit dẫn điện và không dẫn điện, vật liệu hợp kim và lớp phủ khác. Các tiện ích để cải thiện SIMS bao gồm ngập oxy, trung hòa điện tích electron và nung chân không được bao gồm như tiêu chuẩn.

Tùy chọn phần mềm SIMS Mapper PC cung cấp khả năng lập bản đồ với khả năng xem 2D và 3D trên khu vực mẫu. Cổng điện tử được bao gồm để tối ưu hóa phân tích độ sâu dải động cao. Khả năng phân tích TOF SIMS bao gồm phân tích phổ đầy đủ, từng pixel trên ảnh mẫu.

Hệ thống dữ liệu SIMS PC, MASsoft Professional, bao gồm giao diện cấu hình đơn giản cho người dùng để điều khiển và thu thập dữ liệu, bao gồm thiết lập và kiểm soát việc quét chùm ion chính cho các ứng dụng phân tích bề mặt và hồ sơ độ sâu.

The Vacuum Chamber Module: 
Multiport stainless steel UHV analysis chamber including large view port, flanges and fittings. All ports are conflat type, UHV. 

The ultimate chamber vacuum is < 2 x 10-9 mbar after bake out. 

TOF-SIMS ion analyser. Time of flight mass spectrometer 
for enhanced static TOF-SIMS capability with hyperspectral imaging. 

Including ion extraction column matched to reflectron TOF with counting electronics High efficiency, on-axis, collection optics 

Mass Range: 6 -10,000 amu standard.
Mass resolution 1500
Sensitivity >100 kcps / nA (Al target, 100 pA 3 keV Ar)
  • SIMS Quadrupole ion analyser. 
Mass Range: 510 amu standard. 

300 amu and 1000 amu mass ranges optional. 

Resolution: 5% valley between adjacent peaks of equal height throughout the mass range. 
Detector: Ion Counting detector, positive and negative ion detection, 4 kV post acceleration for positive ions. 
Detection Range 1 : 107
Maximum count rate: 107  counts per second. 
Minimum count rate: 1 count per second.
Sensitivity: > 1 x 106 c/s per nanoamp (5 keV Ar, primary ion detecting Al+ from Al target at 20 mm working distance, 300 amu system).
Energy Filter Energy Filter

300 off axis injection. 

Ion Source Integral SNMS ion source 

Electron impact 4 – 150 eV 

Suitable for residual gas analysis – RGA. 

Mass Filter: 3 stages each of 4 poles.
Pole diameter: 9.0 mm – 1000 Series high performance system. 
Bake out Temperature: 250°C. 
  • IG20 Ion Gun specification
Ion Beam: Energy 0.5 to 5.0 keV
Spot diameter 50 microns for imaging

100 microns for depth profiling

Current 0.1 to 600 nA
Species Oxygen or inert gases
Deflection Field +/- 4 mm
Ion Source: Electron Impact Twin Filament
Electron Emission 0 to 20 mA
Electron Energy 0 to 100 volts
Ion Column: Condenser 3 element lens
Objective 3 element lens
Alignment Independent X and Y alignment plates 
Scan Deflection Independent X and Y deflection plates 
Fast Neutral Dump 3 degree bend in the ion column
Beam blanking Single deflector plate
Deflection Amplifiers: Minimum Sweep Time: 64 µs
Flyback Time: 15 µs
Beam Blanking: Rise Time: 3 µs
Fall Time: 3 µs
Mounting Port DN-35-CF (2.75″ OD) Conflat type
Column Tip to Mounting Flange Distance: 282.5 mm 
Column Tip to Sample Working Distance: 20 to 50 mm
Mechanical Adjustment: Mechanical Spot Alignment : +/- 3 mm
IG5C Ion Gun Specification 
Ion Beam
Species Energy Caesium

0.5 to 5.0 keV

Spot diameter 20 microns minimum

80 µm typical

Deflection Field +/- 4 mm
Current 0.1 to 150 nA
Etch rate Maximum 30 nm/min for a silicon target
Ion Source Thermal decomposition surface Ionisation. Typically 10-20 W
Type
Ion Column 3 element lens

Independent X and Y alignment plates for upper and lower column

Objective (Focus 2) Independent X and Y deflection plates
Alignment Double bend before objective lens
Deflection / Scan Single deflector plate after condenser 
Beam blanking
Mounting DN-35-CF (2.75″ OD) Conflat type
Port 35 mm minimum internal diameter 
Port Clearance
Column Tip to Mounting
Flange Distance 200 mm 
Column Tip to Sample
Working Distance 10 to 50 mm (10 – 20 mm for small spot applications) 
Differential Pumping 80 l/s turbomolecular pump set included
Bakeout
Maximum Recommended 200°C 
Temperature
Deflection Amplifiers
Minimum 64 µs 
Sweep Time
Flyback Time 15 µs 
Beam Blanking
Rise Time 3 µs
Fall Time 3 µs
Displays PC based control Ion Energy, Condenser Lens, Objective Lens, Heater Current,Upper X-Align, Upper Y-Align, Lower X-Align, Lower Y-Align X-Deflection, Y-Deflection, X-Scan Amplitude, Y Scan Amplitude.
Diagnostics /measurement Built in diagnostic line scan (X and Y), including supplies for electron suppressed beam current measurement and spotshape, and (incorporated electrometer displays beam current profile on PC). A simple line flyback raster generator is also included.
Controls Control of all beam steering plates, scan amplitudes, offsets and lenses with settings saved to PC for future recall.
External inputs The control unit accepts an external scan input. A gain control is provided to optimise amplification of the scan signal.

External target bias input (max 350 V) that is switched via the beam diagnostics control.

Power Requirements 240/220 V, 120/110 V, 50/60 Hz, 0.25 kVA
Dimensions
Control Unit 311 mm (12.25″) height, 343 mm (13.5″) deep, 19″ Rack Mounting.
Beam steering Mounts directly to the ion gun
module 63 mm (2.5″) x 127 mm (5.0″) x 368 mm (14.5″) length

Hiden ToF-qSIMS Innovative Combination of Quadrupole and Time of Flight

Tải xuống

Đánh giá sản phẩm

Review ToF-qSIMS Workstation

5 0% | 0 đánh giá
4 0% | 0 đánh giá
3 0% | 0 đánh giá
2 0% | 0 đánh giá
1 0% | 0 đánh giá
Đánh giá ToF-qSIMS Workstation
Gửi ảnh thực tế
0 ký tự (Tối thiểu 10)
    +

    Chưa có đánh giá nào.

    Chưa có bình luận nào

    Sản phẩm liên quan

    Reecotech cung cấp các sản phẩm và dịch vụ chất lượng cao, góp phần bảo vệ môi trường và phát triển bền vững.

    Hệ thống phân tích chùm phân tử XBS RC

    XBS

    Hệ thống giám sát nhiều nguồn trong ứng dụng lắng đọng MBE
    tìm hiểu thêm
    Súng ion Argon hoặc Oxygen 5keV dành cho các ứng dụng phân tích bề mặt UHV

    IG20

    Súng ion Argon hoặc Oxygen 5keV dành cho các ứng dụng phân tích bề mặt UHV
    tìm hiểu thêm
    ToF-qSIMS Workstation

    ToF-qSIMS Workstation

    Phân tích bề mặt và tạo hồ sơ độ sâu của một loạt các vật liệu bao gồm polyme, dược phẩm, siêu dẫn, bán dẫn, hợp kim, lớp phủ quang học và chức năng, chất điện môi, với khả năng đo lường các thành phần trace xuống mức sub-ppm
    tìm hiểu thêm
    Hệ thống phổ khối ion thứ cấp (SIMS)

    AutoSIMS

    Hệ thống phổ khối ion thứ cấp (SIMS)
    tìm hiểu thêm
    Hệ thống nghiên cứu giải hấp nhiệt độ lập trình chân không cao

    TPD Workstation

    Hệ thống nghiên cứu giải hấp nhiệt độ lập trình chân không cao (UHV TPD/TDS)
    tìm hiểu thêm
    Súng ion Caesium 5keV cho các ứng dụng phân tích bề mặt UHV

    IG5C

    Súng bơm ion/bắn phá nguyên tử IFG200 của Hiden để đo khối phổ ion thứ cấp tĩnh, động
    tìm hiểu thêm
    SIMS WORSTATION

    SIMS Workstation

    Hệ thống phân tích bề mặt UHV để lập hồ sơ độ sâu màng mỏng
    tìm hiểu thêm
    Hệ thống máy phân tích khối phổ ion thứ cấp SIMS và SNMS tĩnh và động

    MAXIM

    Hệ thống máy phân tích khối phổ ion thứ cấp SIMS và SNMS tĩnh và động
    tìm hiểu thêm