Các nguồn chùm phân tử cần được kiểm soát chính xác để tạo ra màng mỏng chất lượng và có thể tái tạo. Hệ thống XBS (chùm chéo) của Hiden cung cấp khả năng giám sát nhiều nguồn trong thời gian thực, cho phép điều khiển chính xác quá trình lắng cặn. XBS của Hiden là một công cụ tuyệt vời được sử dụng trong phép đo khối phổ chùm phân tử.

Ứng dụng:

• Giám sát và điều khiển MBE
• Nghiên cứu chùm phân tử
• Phân tích nhiều nguồn chùm
• RGA hiệu suất cao
• Giải hấp phụ
• Nghiên cứu giải khí
• Chu kỳ làm nóng
• Các tạp chất khí trong quá trình

IG20 sử dụng nguồn ion khí tác động electron độ sáng cao được thiết kế đặc biệt cho khả năng hoạt động với oxy nhưng cũng thích hợp sử dụng với các khí trơ và khí khác.

Đặc điểm:

• Kích thước điểm 100Micron
• Mật độ dòng điện cao
• Tương thích với oxy
• Dump trung tính
• Quét
• Dễ dàng thay thế sợi tóc đôi
• Lắp đặt mặt bích DN35 Conflat

Ứng dụng:

• Màng mỏng tráng phủ quang học
• Vật liệu điện tử
• Vật liệu hạt nhân

Tính năng:

• Kích thước nhỏ gọn
• Bố cục thân thiện, dễ sử dụng
• Cấu hình độ sâu
• Chỉ cần nguồn điện một pha (dưới 10A)
• Kết quả dương tính với SIMS và SNMS
• Thiết kế xe di động
• Đặc trưng và hình ảnh 3D
• Phổ khối
• Phân tích đồng vị

Ứng dụng:

• Phân tích cụ thể lớp đơn phân tử trên cùng của nhiễm silicon
• Stent phẫu thuật: hình ảnh, cấu hình độ sâu và phân tích bề mặt cụ thể để đặc trưng cho bề mặt gần
• Nhiễm bẩn: hình ảnh và phổ khối để xác định vị trí và nhận dạng chất gây ô nhiễm bề mặt
• Vật liệu hạt nhân: xác định các vật liệu giàu đồng vị bằng phổ khối thành phần khối lượng
• Dược phẩm: xác định tín hiệu phân tử bằng SIMS tĩnh trên bột

Hiden Analytical đã phát triển hệ thống phân tích bề mặt tự động hoàn toàn trong AutoSIMS, một máy đo phổ khối ion thứ cấp (SIMS) sáng tạo có thể thực hiện các phân tích thông thường và lặp đi lặp lại mà không cần giám sát. Với bàn XY tự động hoàn toàn và giá đỡ mở rộng, AutoSIMS của Hiden có thể chạy hàng trăm quy trình một ngày trong hoạt động 24/7 không ngừng nghỉ.

Đặc điểm:

• Phân tích tự động không cần giám sát nhiều mẫu
• Kích thước nhỏ gọn
• Bố trí thân thiện với người dùng dễ dàng
• Dò sâu theo chiều sâu
• Chỉ yêu cầu nguồn điện một pha (dưới 10 A)
• SIMS dương và SNMS
• Thiết kế xe di động
• Mô hình hóa và hình ảnh 3D
• Phổ khối
• Phân tích đồng vị
• Các thông số có thể được chỉ định qua bảng tính
• Độ phân giải chiều sâu nanomet
• Bảo trì theo mô đun để có thời gian hoạt động cao
• Súng ion oxy để phân tích nhạy
• Giá đỡ mẫu kiểu băng cassette có thể tùy chỉnh

Ứng dụng:

• Nhiễm silicon
• Tế bào năng lượng mặt trời linh hoạt
• Stent phẫu thuật
• Vật liệu điện tử

TPD Workstation là một hệ thống thí nghiệm hoàn chỉnh cho các nghiên cứu giải hấp nhiệt được lập trình UHV (TPD). Thiết bị phân tích khối lượng ba bộ lọc được cấu hình với một lớp phủ làm mát, mang lại cho máy phân tích độ nhạy tối ưu với mức đóng góp nền tối thiểu cho các sản phẩm giải hấp từ mẫu. Một khóa nạp mẫu nhanh với cơ chế chuyển mẫu được bao gồm để cung cấp khả năng thay đổi mẫu nhanh chóng.

Đặc trưng:

• Máy phân tích khối lượng Hiden 3F PIC cho khả năng thu thập dữ liệu nhanh (> 500 điểm dữ liệu/giây).
• Độ nhạy cao - chỉ cần một mẫu 1 cm2 để phân tích hoàn chỉnh.
• Buồng UHV đa cổng để gắn thêm các thiết bị khác.
• Cơ chế chuyển mẫu tuyến tính và khóa nạp, bao gồm van cổng và cửa sổ quan sát.
• Giường gia nhiệt đến 1000°C.
• Hệ truyền động Z của bàn gia nhiệt để định vị mẫu/máy dò tối ưu.
• Vỏ nung nóng (tối đa 150°C).
• Kiểm soát phần mềm tích hợp các giao thức thử nghiệm, bao gồm các lệnh gia nhiệt đa giai đoạn.

Ứng dụng:

• Xúc tác
• MS phân tích nhiệt
• Khoa học bề mặt
• Phân tích bề mặt
• Công nghệ nano
• Pin nhiên liệu

IG5C sở hữu nguồn ion hóa bề mặt công suất thấp, độ sáng cao kết hợp với cột ion nhỏ gọn, mang đến hiệu suất vượt trội trong một thiết bị nhỏ. Hệ thống súng ion được thiết kế là nguồn ion chính cho mọi ứng dụng SIMS, bao gồm SIMS động, tĩnh và hình ảnh.

Đặc điểm nổi bật:

• Kích thước điểm bắn tối thiểu 20 Micron
• Mật độ dòng điện cao
• Xả khí trung hòa
• Nguồn ion hóa bề mặt ổn định trong không khí, có thể thay thế
• Cổng kết nối mặt bích Conflat DN-35-CF

Ứng dụng:

• Màng mỏng lớp phủ quang học
• Vật liệu điện tử

• Có thể phát hiện được tất cả các nguyên tố và đồng vị của chúng
• Độ nhạy cao, giới hạn phát hiện rộng (có thể phát hiện tới ppb)
• Tư động căn chỉnh khối lượng cho hiệu suất SIMS tối ưu

SIMS thường được ứng dụng để phân tích bề mặt vật liệu, bao gồm:

• Kỹ thuật màng mỏng, công nghệ nano
• Phân tích các chất pha tạp (thành phần, độ sâu phân tán) trong vật liệu bán dẫn.
•  Phân tích khuyết tật/ lỗi trong pin mặt trời linh hoạt.
• Phân biệt các đồng vị.
• Phân tích thành phần bề mặt các stent phẫu thuật.
• Phân tích thành phần nhiên liệu hạt nhân.
• Phát hiện thành phần tạp trong thuốc, phân tích quá trình phân hủy lớp màng bao bọc ngoài thuốc.

DÀNH CHO PHÂN TÍCH BỀ MẶT

Máy phân tích khối phổ ion thứ cấp Hiden MAXIM là một thiết bị hiện đại chuyên dụng cho việc phân tích thành phần nguyên tố và đồng vị của bề mặt vật liệu. Nó hoạt động bằng cách bắn phá bề mặt bằng một chùm ion sơ cấp, sau đó đo khối lượng của các ion thứ cấp được giải phóng. Điều này cho phép các nhà khoa học xác định các nguyên tố và đồng vị có mặt trên bề mặt, cũng như tỷ lệ tương đối của chúng.

Hệ thống máy phân tích MAXIM bao gồm:

• Bộ lọc năng lượng tích hợp để chấp nhận ion ở góc 30° so với trục dò.
• Quang học chiết xuất SIMS truyền qua cao.
• Bộ lọc khối ba.
• Bộ đếm ion xung.
• Bộ điều khiển điện tử.

• Stent phẫu thuật
• Tế bào năng lượng mặt linh hoạt